과제
Explain the mechanism of TEM and SEM and compare the two microscopic techniques Refer to Example 7.2 on page 258
Example 7.2 - Estimating the de Broglie wavelength Estimate the wavelength of electrons that have been accelerated from rest through a potential difference of 40kV
Mechanism of TEM
가속 전자를 광원으로 사용
광원으로 쓰이는 전자는 음전하를 띠고
전자현미경의 개발배경
-광학현미경의 분해능인 빛의 파장의 한계인식
-전자의 발견 및 전자파동설의 대두
(전자빔의 경우 De Broglie equation에 따라 파동성을 갖는다)
-전자의 자계에 의한 렌즈작용의 이론화
-TEM의 개발(1931)
-SEM의 개발(1938)
배경이론
- 독일의 물리학자 압베 (E. Abbe)가
SEM?
Scanning electron microscope
To analysis surface of specimen
Qualitative analysis at certain point
Operation principal of SEM
Emission electron from filament
Accelerate electron by electric field
Focusing electron by lens → mono-chromatic electron beam
Generate secondary electron and etc.
Detection of electron
1.Photolithography
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전
1) 원리 및 mechanism
분체의 물성을 강하게 지배하는 것은 입자의 크기 및 분포로서 이상적인 분쇄기는 분쇄용량이 크고, 분쇄생성물의 단위량당 동력소모가 작아야 하며, 원하는 단일입자 또는 입도분포를 가지는 생성물을 얻을 수 있어야 한다. 그 때문에 단립자의 파괴의 mechanism은 분쇄의 기본이다.
Ⅰ. 개요
식물이 토양으로부터 중금속 원소를 흡수하는 메카니즘을 이해하기 위해서는 식물의 중금속 원소 흡수에 영향을 주는 인자들, 즉 토양 내 금속함량, 토양의 pH, 유기물 함량, 양이온교환능력 및 토양의 조직 등과 같은 토양인자, 식물의 종류, 기관, 연령 등과 같은 식물인자 그리고 기온, 강
재료의 물성을 알기 위해서 그 구조를 알아야 한다. 따라서 이번 설계에서는 그 구조를 분석하기 위한 물리, 화학적 방법에 대해 연구해 보고자 한다. 화학적인 방법으로 Elemental Analysis, Functional Analysis, Thermal Analysis를 조사하였으며 물리적인 방법으로 핵자기 공명법과 적외선분광법, TEM을 조사하였다. E
물리화학에서, 지수 함수 y = e의 x승 역할이 중요
- 양변에 자연대수를 취하면 ln y = x ln e = x 여기서 “ln" 은 log e 로 나타냄.
③ 지수와 상용대수와의 관계
y = e의 x승에서, 양변에 상용대수를 취하면,
log y = x log e = ln y log e
여기서 x = ln y = 0.4343 ln y 또는 2.303 log y = ln y
* 자연대수에서 상용대수로 변환
화학반응속도(1)
-반응속도의 정의 및 측정법
. 화학적 변화와 물리적 변화
(1) 화학적 변화
1) 물질을 구성하는 원소 또는 이온들 간의 화학결합이 끊어지거나 재배열이 일어나 처음의 상태와는 전혀 다른 화학적 성질을 가지는 물질로 변하는 과정.
2) 예를 들어 물을 전기분해하여 수소기체와
화학적, 물리적 반응
외부공정 변수에 따라 가스상태에서 핵 형성 반응이 일어나기도 하고, plasma내의 불순물은 핵 site로 작용, 불필요한 먼지 입자를 생성
CVD의 7가지 step
(1)gas stream에서부터 wafer근처로의 precursor의 물질 전달
(2)중간 생성물의 형성
(3)중간 생성물의 wafer표면으로의 전달
(4)Si을 만